Китай продолжает развивать технологию EUV-литографии, несмотря на санкции США, ограничивающие доступ к передовым инструментам для производства чипов. В Дунгуане, на заводе Huawei, проходит тестирование китайской EUV-машины, использующей метод лазерно-индуцированной плазмы (LDP) вместо традиционного подхода ASML (LPP). Пробный запуск ожидается в третьем квартале 2025 года, а массовое производство — в 2026-м.

В подходе LDP (плазма, индуцированная лазером) небольшое количество олова испаряется, образуя облако между двумя электродами. Эти электроды под высоким напряжением преобразуют оловянное облако в плазму. Взаимодействие электронов и высоковалентных ионов олова приводит к многократному излучению, в результате чего формируется EUV-свет.

В отличие от ASML, чей метод LPP (лазерно-производимая плазма) требует высокоэнергетических лазеров и сложных систем управления на базе FPGA, китайский подход проще и экономичнее. Он позволяет напрямую преобразовывать электрическую энергию в плазму, что обеспечивает более высокую энергоэффективность. Однако остаются технические вызовы, такие как оптимизация параметров разрядных импульсов и выходной мощности. Несмотря на эти сложности, Китай стремительно наращивает независимость в полупроводниковом секторе, делая значительные шаги в развитии EUV-технологий.